虚拟货币ALN

证券代码：688147 综合评级：AA

·简介：成立日期：2015年；办公所在地：江苏无锡；

·业务占比：光伏设备93.78%、半导体设备2.47%、配套产品及服务（改装）3.62%；

2022年H1：ALD设备44.18%、PECVD设备20.25%、PEALD二合一平台设备32.36%、半导体设备3.22%；

按产品分类：2019-2020年，公司专用设备销售收入均为ALD设备。2021年、2022年1-6月，公司新增PECVD设备、PEALD二合一设备销售收入，ALD设备销售占比分别为53.70%、44.18%。

·名词释义：

1、薄膜沉积：是指在基底上沉积特定材料形成薄膜，使之具有光学、电学等方面的特殊性能。薄膜沉积设备的设计制造涉及化学、物理、工程等多门学科的跨界综合运用，按工艺原理的不同可分为物理气相沉积（PVD）、化学气相沉积（CVD）和原子层沉积（ALD）设备，按设备形态的不同可分为批量式（管式）和空间型（板式）两种技术路线，公司目前以批量式（管式）ALD设备为主。

2、ALD、原子层沉积：是一种可以将物质以单原子层形式一层一层地镀在基底表面的工艺。

3、化学气相沉积（CVD）：是通过化学反应的方式，利用加热、等离子或光辐射等各种能源，在反应器内使气态或蒸汽状态的化学物质在气相或气固界面上经化学反应形成固态沉积物的技术，是一种通过气体混合的化学反应在基体表面沉积薄膜的工艺，可应用于绝缘薄膜、硬掩模层以及金属膜层的沉积。

4、PECVD：等离子体增强化学气相沉积，CVD的一种，在沉积室利用辉光放电使其电离后在衬底上进行化学反应沉积的半导体薄膜材料制备和其他材料薄膜的制备方法；

5、物理气相沉积（PVD）：技术是指在真空条件下采用物理方法将材料源（固体或液体）表面气化成气态原子或分子，或部分电离成离子，并通过低压气体（或等离子体）过程，在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术。PVD镀膜技术主要分为三类：真空蒸发镀膜、真空溅射镀膜和真空离子镀膜。

6、ALD技术：是一种特殊的真空薄膜沉积方法，具有较高的技术壁垒。通过ALD镀膜设备可以将物质以单原子层的形式一层一层沉积在基底表面，每镀膜一次/层为一个原子层，根据原子特性，镀膜10次/层约为1nm。由于ALD技术表面化学反应具有自限性，因此拥有多项独特的薄膜沉积特性：1、三维共形性，广泛适用于不同形状的基底；2、大面积成膜的均匀性，且致密、无针孔；3、可实现亚纳米级的薄膜厚度控制。基于上述特性，ALD技术广泛适用于不同场景下的薄膜沉积，在光伏、半导体、柔性电子等新型显示、MEMS、催化及光学器件等诸多高精尖领域均拥有良好的产业化前景。以三甲基铝（TMA）为金属铝源、水蒸气为氧源，沉积Al2O3薄膜的反应为例，每一个单位循环分为四步：1、TMA蒸气脉冲进入反应室，在暴露的衬底或膜表面发生化学吸附反应；2、清洗气体（通常为惰性气体）将多余的TMA蒸气和反应副产物甲烷带出反应室；3、水蒸气脉冲进入反应室和TMA前驱体吸附的表面继续进行表面化学反应；4、清洗气体把多余的水蒸气和反应副产物甲烷带出反应室5、循环上述步骤，形成所需厚度的Al2O3薄膜。

7、薄膜沉积设备技术之间对比：ALD采用化学反应方式进行沉积，但反应原理和工艺方式与CVD存在显著区别，在CVD工艺过程中，化学蒸气不断地通入真空室内，而在ALD工艺过程中，不同的反应物（前驱体）是以气体脉冲的形式交替送入反应室中的，使得在基底表面以单个原子层为单位一层一层地实现镀膜。

8、薄膜沉积设备技术分类：相比于ALD技术，PVD技术生长机理简单，沉积速率高，但一般只适用于平面的膜层制备；CVD技术的重复性和台阶覆盖性比PVD略好，但是工艺过程中影响因素较多，成膜的均匀性较差，并且难以精确控制薄膜厚度。

·产品分类：

1、光伏领域ALD设备：公司ALD量产设备镀膜速率已经突破10000片/小时。镀膜效果以沉积Al2O3薄膜进行测量，其薄膜厚度均匀度达到片内不均匀性≤3%、片与片之间不均匀性≤3%、批与批之间不均匀性≤3%。在保障光电转换效率的同时，有效帮助下游电池片厂商大幅降低了设备投资额与生产消耗成本。

（1）夸父（KF）系列原子层沉积（ALD）系统：运用ALD技术，对晶硅太阳能电池表面Al2O3钝化膜进行批量制备。Al2O3薄膜的功能:钝化工序就是通过降低硅片表面电子空穴的复合来降低缺陷带来的影响，从而保证电池的光电转换效率。当光线照射在晶硅太阳能电池上表面且被吸收，具有足够能量的光子能够在P型硅和N型硅中将电子激发，从而产生电子－空穴对。电子和空穴在复合之前，将形成一个向外的可测试的电压。硅片表面的杂质和缺陷会对晶硅太阳能电池片的性能造成负面影响，导致电子空穴复合。Al2O3由于具备较高的负电荷密度，可以对P型半导体如PERC电池背面和TOPCon电池的正面提供良好的场效应钝化，即在近表面处增加一层具有高度稳定电荷的介质膜在表面附近造一个梯度电场，减少表面电子浓度从而降低表面电子空穴的复合速率。客户通过公司的ALD设备在电池片表面制备Al2O3膜实现钝化效果，以达到更高的光电转化水平。

（2）夸父（KF）管式PECVD系统：运用PECVD技术，对晶硅太阳能电池表面SiNx薄膜进行批量制备。SiNx薄膜的功能:在PERC电池背面，为了避免后续金属化烧结过程铝浆对Al2O3钝化膜的破坏，SiNX依靠其化学稳定性，主要用于背部钝化膜的保护；在PERC电池正面，由于SiNX富含氢原子，可以在热处理过程中对表面和体内的缺陷进行化学钝化，从而降低表面电子的复合。同时由于SiNX的光学特性，还可以实现PERC电池正面和背面减反效果。

（3）祝融（ZR）管式PEALD系统：集成PEALD与PECVD技术，同一台设备可完成电池Al2O3膜和SiNx膜，以及TOPCon电池超薄SiOx隧穿层和掺杂多晶硅薄膜的制备。

（4）羲和（XH）低压扩散炉系统：采用超高温热场控制技术，可实现磷扩、硼扩、氧化和退火工艺，为TOPCon电池生产线设备。

2、半导体领域：在晶圆制造进入65nm制程及之前，集成电路主要通过沉积SiO2薄膜形成栅极介质减少漏电，但进入45nm制程特别是28nm之后，传统的SiO2栅介质层薄膜材料厚度需缩小至1纳米以下，将产生明显的量子隧穿效应和多晶硅耗尽效应，导致漏电流急剧增加，器件性能急剧恶化，已不能满足技术发展的要求。而高k氧化物作为栅介质层，可以在降低等效氧化物厚度（EOT）的同时，抑制漏电流的产生。由于高k的栅介质层厚度往往小于10nm，所需的膜层很薄（通常在数纳米量级内），公司ALD设备凭借原子级别的精确控制及沉积高覆盖率和薄膜的均匀性，制备的高k材料HfO2较好的满足了28nm逻辑器件制造过程的需要。公司设备总体表现和工艺关键性能参数达到国际同类水平，并已获得客户重复订单认可，产品实现了国产ALD设备在28nm集成电路制造关键工艺（高介电常数栅氧层材料沉积环节）中的突破，已与多家国内半导体厂商及验证平台签署了保密协议并开展产品技术验证等合作，针对国内半导体薄膜沉积各细分应用领域研发试制新型ALD设备。

（1）凤凰（P）系列原子层沉积镀膜系统（TALD）：主要用于单片型12寸及8寸晶圆生产中氧化物、氮化物及金属镀膜工艺，产业应用阶段；

（2）凤凰（P-Lite）轻型原子层沉积镀膜系统（TALD/PEALD）：主要用于单片型8寸、6寸及以下的第三代化合物半导体、量子器件等氧化物、氮化物及金属镀膜工艺，产业化验证阶段；

（3）麒麟（QL）系列原子层沉积镀膜系统（TALD）：用于批量型12寸及8寸晶圆生产中氧化物、氮化物及金属镀膜工艺，单腔体每批次可容纳最多25片12寸（兼容25片8寸晶圆镀膜），产业化验证阶段。

（4）龙（Dragon）系列真空传输系统：用于半导体先进制程的晶圆真空传输系统，该平台系统可有效避免晶圆表面微尘，可实现高产能下的稳定性，产业应用阶段。

（5）公司ALD设备沉积的HfO2、ZrO2、La2O3以及互相掺杂沉积工艺可用于新型存储器如铁电存储（FeRAM）芯片的电容介质层，沉积的Al2O3、TiN、AlN可用于化合物半导体、量子器件的超导材料导电层等，上述应用均已完成客户的试样测试并签署订单。

3、其他领域应用：FlexGuard（FG）系列卷对卷原子层沉积镀膜系统：主要为OLED等各类柔性电子器件镀膜实现阻水阻氧保护。

4、设备改造：主要包括尺寸改造、工艺改造等，具体如下：

（1）尺寸改造：在光伏领域，硅片的大尺寸化可以有效提升组件效率、降低制造及发电成本，是降本增效的重要途径。公司薄膜沉积设备的反应腔体对于硅片的尺寸具有一定的兼容能力，太阳能电池片尺寸在158mm、166mm、182mm乃至210mm逐步升级过程中，需要公司通过对载具、导风筒、喷淋板及设备结构等进行改造、优化，满足客户对电池片产品尺寸调整的需求。

（2）工艺改造：ALD设备可以采用水蒸气或臭氧作为氧源，与TMA前驱体反应实现薄膜沉积。公司目前工艺改造项目主要为臭氧改造，通过新增臭氧发生器及改造配套管路设备，将原设备中的与TMA前驱体反应的氧源，由水蒸气改为臭氧，满足客户自身工艺的需求。

·上下游：上游采购真空系统类（18.53%）、特殊气体系统类、电器类（15.79%）、气动控制传动类、机械一体类（38.93%）、石墨石英类、仪器仪表类、五金耗材类等部件，下游应用至在光伏、半导体、柔性电子等新型显示、MEMS、催化及光学器件等诸多高精尖领域；

·主要客户：2022年上半年，江苏龙恒新能源50.07%、阿特斯26.8%、顺风太阳7.81%、爱旭4.35%、商洛比亚迪3.93%，前五大客户占比92.97%；覆盖包括通威太阳能、隆基股份、晶澳太阳能、天合光能等电池片行业前十名；2022年上半年，合同负债及预收款前五名客户为通威太阳能19.64%、隆基14.4%、晶科能源11.37%、爱旭7.4%、滁州捷泰5.5%，合计58.31%，未来客户集中度或将进一步下滑。

·行业地位：太阳能电池片技术路线目前正由PERC工艺向新型高效电池（TOPCon、HJT等）发展，公司在行业中已率先取得无锡尚德、通威太阳能、晶科能源、商洛比亚迪等公司TOPCon产线设备订单。

·竞争对手：

1、光伏领域：包括主要采用ALD技术的无锡松煜（包括ALD设备、PECVD设备、LPCVD设备等，0.9亿销售额）、理想晶延（3.11亿销售，包括板式ALD设备、PECVD设备），以及主要采用PECVD技术的捷佳伟创（光伏PECVD设备收入约21.58亿元）、北方华创（002371.SZ）、红太阳（大股东中电科PECVD&ALD，4.7亿销售额）、拉普拉斯、德国Centrotherm（商先创，1.07亿欧元）等。

2、半导体领域：东京电子、先晶半导体、泛林半导体、应用材料、日本国际电气；国内企业中：北方华创、拓荆科技、中微公司三家；

·行业核心竞争力：1、产品性能指标；2、持续研发能力；3、客户忠诚度；

·行业发展趋势：1、行业需求稳定增长：；2、行业集中度提升：；3、国产化趋势：；

1、半导体薄膜沉积设备需求快速增长：薄膜沉积设备行业一方面长期受益于全球半导体需求增加与产线产能的扩充，另一方面受益于技术演进带来的增长机遇，包括制程进步、多重曝光与3D NAND存储技术，全球半导体薄膜沉积设备市场规模将因此高速增长。从晶圆厂的投资构成来看，刻蚀设备、光刻设备、薄膜沉积设备是集成电路前道生产工艺中最重要的三类设备。其中，薄膜沉积设备投资额占晶圆厂投资总额的16%，占晶圆制造设备投资总额的21%。根据Maximize Market Research预计，全球半导体薄膜沉积设备市场规模在2025年将从2020年的172亿美元扩大至340亿美元，保持年复合13.3%的增长速度。

2、ALD技术在半导体领域28nm及以下先进制程、存储器件中的典型应用中渗透率持续提升：随着集成电路制造不断向更先进工艺发展，单位面积集成的电路规模不断扩大，芯片内部立体结构日趋复杂，所需要的薄膜层数越来越多，对绝缘介质薄膜、导电金属薄膜的材料种类和性能参数不断提出新的要求，晶圆制造的复杂度和工序量大大提升。在90nm CMOS工艺大约需要40道薄膜沉积工序，在3nm FinFET工艺产线，则超过100道薄膜沉积工序，涉及的薄膜材料由6种增加到近20种，对于薄膜颗粒的要求也由微米级提高到纳米级。只有薄膜沉积设备的不断创新和进步才能支撑集成电路制造工艺向更小制程发展。根据Gartner统计， 2020年全球半导体薄膜沉积设备中PECVD、PVD、ALD设备的市场规模占比分别为34%、21%和12.8%。在半导体制程进入28nm后，由于器件结构不断缩小且更为3D立体化，生产过程中需要实现厚度更薄的膜层，以及在更为立体的器件表面均匀镀膜。在此背景下，ALD技术凭借优异的三维共形性、大面积成膜的均匀性和精确的膜厚控制等特点，技术优势愈加明显，在半导体薄膜沉积环节的市场占有率也将持续提高。

3、长期来看TOPCon、HJT电池将成为未来产业化主流：TOPCon电池生产线可以由PERC电池生产线升级改造实现，除原薄膜沉积需求外，还增加了隧穿层和掺杂多晶硅层镀膜需求。HJT电池整体结构变化较大，其制造环节只需4大类设备，分别是制绒清洗设备（投资占比10%）、非晶硅沉积设备（投资占比50%）、透明导电薄膜设备（投资占比25%）和印刷设备（投资占比15%），其中非晶硅沉积设备、透明导电薄膜设备均需要用到薄膜沉积设备。TOPCon技术目前尚未取代PERC技术的主要原因为：（1）工艺步骤增加，导致技术成熟度和产品良率有待进一步提高；（2）工艺设备成本和双面银浆带来的成本上升。HJT技术目前尚未取代PERC技术的主要原因为：（1）HJT电池产线的投资成本较高，是PERC电池产线投资的2-3倍以上；（2）HJT技术路线采用透明电极和低温银浆，技术成熟度不高，运营成本相对较高。TOPCon、HJT等下一代高效晶硅电池转换效率不断刷新世界记录，效率更高的N型TOPCon电池、HJT电池等则最有望成为P型PERC电池后的产业化主流技术。近年来已有厂商陆续开始布局，属于下一代高效电池技术路线的潜在方向，而IBC和钙钛矿为未来技术，尚处于实验和验证阶段。

4、薄膜沉积在新一代光伏设备中投资比重增加：根据中国光伏行业协会的统计数据，2019年至2021年的新建量产产线以PERC电池产线为主，PERC电池片在2021年的市场占比进一步提升至91.2%，但是PERC电池技术量产平均光电转换效率趋近理论极限。由于TOPCon电池生产线可以由现有PECR电池生产线升级改造完成，而且目前TOPCon电池生产线单位投资规模和运营成本明显低于HJT电池生产线，因此TOPCon电池生产线在N型电池线建设中进展显著。公司研发、生产的设备在PERC产线建设中的投资占比为24.71%-26.73%，在TOPCon（含N型电池）产线建设中的投资比重上升至33.00%-39.12%。

5、半导体设备国产替代：半导体薄膜沉积设备行业基本由AMAT、ASM、Lam、TEL等国际巨头垄断。半导体薄膜沉积设备的国产化率虽然由2016年的5%提升至2020年的8%，但总体占比尤其是中高端产品占比较低。目前，半导体行业的薄膜沉积设备中，PVD设备与CVD设备均已初步实现国产化，而ALD设备作为先进制程所必须的工艺设备，在大规模量产方面国内厂商尚未形成突破。当技术节点向14纳米甚至更小的方向升级时，与PVD设备和CVD设备相比，ALD设备的必要性更加凸显。目前，基于供应链安全考虑，国内设备制造商正面临更多的机会。

·其他重要事项：1、在手订单：截至2022年9月末，公司在手订单合计19.75亿元，其中ALD专用设备在手订单18.56亿元，设备改造业务在手订单1.15亿元，受专用设备、改造业务订单结构的影响，未来主营业务收入结构仍有可能会出现变化。

2、业绩预告：公司2022年营业收入预计为59100至67800万元，同比增长38.11%至58.44%；净利润预计为2300至4200万元，同比下降50.12%至8.92%；扣非净利润预计为600至2200万元，同比下降77.52%至17.57%。2020-2021年，随着PERC电池技术量产平均光电转换效率趋近理论极限，而新型高效电池技术有望在短期内形成产业化应用方案，下游厂商对于大规模新建PERC电池产线的意愿有所放缓，扩产节奏短期调整。ALD设备订单数量的短期减少主要是受到市场电池技术路线过渡阶段的暂时性影响。

3、募投项目：拟募资11.65亿元，其中6.33亿元用于基于原子层沉积技术的半导体配套设备扩产升级项，2.64亿元用于基于原子层沉积技术的光伏及柔性电子设备扩产升级项目，1.18亿元用于集成电路高端装备产业化应用中心项目，本次募投项目达产后，公司将新增年产120台光伏、柔性电子领域的ALD设备，以及年产40套半导体领域ALD设备的生产规模。

·大股东：持股比例为51.18%；股权质押率：0%

·管理层年龄：30-60岁，高管及员工持股：20.72%

·员工总数：808人（+297）：技术206，生产355，销售166；本科学历以上：349；

·人均产出：2021年人均营收：52.9万元；人均净利润：5.7万元；

·融资分红：2022年上市，累计融资（1次）：11亿；

·资产负债表（2022年Q3）：货币资金3.86，交易性金融资产1.2，应收账款2.86（+1.55），预付款0.51，存货7.62（+0.9），其他流动资产2.83；固定资产0.38，无形资产0.09；短期借款1.66，应付账款5.5，合同负债4.4（+1.5）；股本4.09，未分利润1.05，净资产8.81，总资产21.49，负债率58.98%；

·利润表（2022年Q3）：营业收入3.85（+66.8%），营业成本4.25，销售费用0.29（+23.93%），管理费用0.29（+78.28%），研发费用0.94（+47.32%），财务费用0.02（+27.89%），资产减值损失0.12（+144.86%），信用减值（+31.35%），投资收益0.11（+53.73%）；净利润-0.03（-115.83%）；

·核心指标（2019-2022年Q3）：净资产收益率：119.98%、21.44%、6.43%、NA；每股收益：1.21、1.2、0.11、NA；毛利率：53.98%、51.9%、45.77%、37.11%；净利润率：25.28%、18.24%、10.78%、-0.8%；

·预测假设：营收增长：50%、50%、50%；净利润率：3%、12%、20%

·营收假设：2022E：6.4；2023E：9.6；2024E：14.4；

·净利假设：2022E：0.2；2023E：1.2；2024E：2.9；（即达到条件时对应市值，须根据实际数据调整）

·影响公司利润核心要素：1、光伏Topcon、异质结产能扩建速度；2、公司产品体系能否趋于稳定；3、费用率的控制；

·2024年估值假设：150-200亿；当前估值假设：90-130亿（基于25%/年收益预期）；价格区间：20-28元/股（未除权、除息）；

·核心竞争力

1、技术路线优势

在传统工艺中，由于存在厚度控制和膜层均匀性的问题，通过CVD与PVD工艺所生成的膜很难突破10nm以下的厚度极限。此外，在深宽比达到10:1以上时，CVD与PVD工艺无法保证下游工艺需要的近100%覆盖率的技术要求。与之相比，ALD工艺可以在100%阶梯覆盖率的基础上实现原子层级（1个纳米约为10个原子）的薄膜厚度。随着制程技术节点的不断进步，ALD工艺优异的沉积均匀性和一致性使得其在微纳电子学和纳米材料等领域具有广泛的应用潜力，会越来越受到青睐。

在光伏领域，ALD技术在现阶段最主要的PERC电池，以及在TOPCon等下一代高效电池工艺上均具有良好的应用空间；在半导体领域，先进制程、存储芯片器件结构3D化及新技术提升加大了对ALD设备的需求；此外，ALD技术作为一种具有普适意义的真空镀膜技术，由于其超薄的膜厚、极高的均匀度及优异的三维共形性，使其在纳米级别可产生诸多特殊的性质，在柔性电子等新型显示、MEMS、催化及光学器件等诸多高精尖领域均拥有良好的产业化前景。上述任一领域的应用前景均体现了ALD的技术特点及优势，为公司的后续发展提供了广阔市场空间。

2、优秀的研发团队

公司的研发技术团队结构合理，分工明确，专业知识储备深厚，产线验证经验丰富，是奠定公司技术实力的基石，自成立以来，公司以海内外专家为核心，积极引入和培养一批经验丰富的电气、工艺、机械、软件等领域工程师，形成了跨专业、多层次的人才梯队。截至报告期末，公司研发人员共有188名，占公司员工总数的36.79%。

3、技术积累与研发创新能力

公司坚持自主研发，已形成原子层沉积反应器设计技术、高产能真空镀膜技术、真空镀膜设备工艺反应气体控制技术等多项核心技术，成功应用于公司各类产品。公司光伏领域设备2018年被评为江苏省首台（套）重大装备产品，半导体领域设备2021年成为国产首台成功应用于28nm节点集成电路制造前道生产线的量产型High-k原子层沉积设备。

4、优质的客户资源

光伏领域已覆盖包括通威太阳能、隆基股份、晶澳太阳能、阿特斯、天合光能等在内的多家知名太阳能电池片生产商。半导体领域先后获得多家国内知名半导体公司的商业订单，并与多家国内主流半导体厂商及验证平台签署了保密协议并开展产品技术验证等工作。

·风险提示

1、新产品验证进度及市场发展不及预期的风险

公司薄膜沉积设备主要应用于光伏电池片、半导体晶圆的生产环节，直接影响光伏电池片的光电转换效率以及半导体器件性能，是下游客户产线的关键工艺设备。因此，客户对公司新产品的验证要求较高、验证周期较长，公司用于新型高效电池和半导体各细分领域的新产品存在验证进度不及预期的风险。

在光伏领域，新型高效电池如TOPCon、HJT在2022年以来扩产计划加速，但因技术成熟度、投资成本等限制性因素，规模化量产尚存在不确定性。在半导体领域，我国在先进制程的设备制造产业起步较晚，目前国内先进产线关键设备的国产化仍处于起步和发展阶段。如果国内新型高效电池和先进制程晶圆制造产线发展不及预期，公司未来销售增长将受到限制。

2、毛利率下降的风险

2019-2022年H1，公司毛利率分别为53.97%、51.89%、45.83%、34.12%，毛利率变动主要受产品销售价格、原材料采购价格、市场竞争程度、技术更新换代及政策变动等因素的影响。若未来上述影响因素发生重大不利变化，公司毛利率将会面临下降的风险。

3、技术迭代及新产品开发风险

随着技术和应用领域的不断发展，下游客户对薄膜沉积设备工艺路线、材料类型、技术指标等要求也不断变化，因此会对产品提出新的要求。如果公司未能准确理解下游客户的产线设备及工艺技术演进需求，或者技术创新产品不能契合客户需求，将对公司经营带来不利影响。